porosi_bg

Produktet

  • IPD031N06L3G i ri origjinal i Komponentëve Elektronikë Shërbimi i çipit ic MCU BOM në magazinë IPD031N06L3G

    IPD031N06L3G i ri origjinal i Komponentëve Elektronikë Shërbimi i çipit ic MCU BOM në magazinë IPD031N06L3G

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 60 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 100A (Tc) Tensioni i drejtimit (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 4.5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A...
  • IMZA65R072M1H Çipat IC Transistorët Komponentët elektronikë Kondensator me qark të integruar IMZA65R072M1H

    IMZA65R072M1H Çipat IC Transistorët Komponentët elektronikë Kondensator me qark të integruar IMZA65R072M1H

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Seritë e vetme Mfr Infineon Technologies - Statusi i tubit të paketimit të produktit Lloji aktiv FET - Teknologjia - Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 28A (T) Volumi (T) Aktiv, Min Rds Aktiv) - Rds Aktiv (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Funksioni FET - Shpërndarja e energjisë (Max) - Temperatura e funksionimit - Numri i produktit bazë IMZA6.. .
  • Lista e kuotave BOM IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Qarku i integruar

    Lista e kuotave BOM IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Qarku i integruar

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Diodat – Ndreqësit – Vargjet Mfr Infineon Technologies Seria Rapid 2 Tube e paketimit Statusi i produktit Konfigurimi aktiv i diodës 1 palë Lloji i diodës së zakonshme katodë Tensioni standard – DC Reverse (Axt) (Vr50) Io) (për diodë) Tension 15A – Përpara (Vf) (Maks) @ Nëse 2,2 V @ 15 A Shpejtësia e Rikuperimit të Shpejtë =< 500ns, > 200mA (Io) Rikuperim i kundërt...
  • KWM Transistor i ri origjinal BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Çipi IC me qark të integruar në magazinë

    KWM Transistor i ri origjinal BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Çipi IC me qark të integruar në magazinë

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i kullimit në burim (Vdss) 60 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 40A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds On) 6V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V...
  • AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF Çip IC Qark i ri origjinal i integruar

    AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF Çip IC Qark i ri origjinal i integruar

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 25 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 4,5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ ID, Vgs 6mOhm...
  • (STOCK) BSS138NH6327 produkt i ri dhe origjinal i komponentëve elektronikë të nxehtë

    (STOCK) BSS138NH6327 produkt i ri dhe origjinal i komponentëve elektronikë të nxehtë

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria SIPMOS® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i zbrazjes (Vdss) 60 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 230 mA (Ta) Tensioni i drejtimit (Max Rds Aktiv, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 230 mA...
  • Origjinali i ri Në magazinë MOSFET Diodë tranzistor Tiristor SOT-223 BSP125H6327 Komponent elektronik i çipit IC

    Origjinali i ri Në magazinë MOSFET Diodë tranzistor Tiristor SOT-223 BSP125H6327 Komponent elektronik i çipit IC

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria SIPMOS® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 600 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 120 mA (Ta) Tensioni i drejtimit (Max Rds Aktiv, Min Rds On) 4,5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120 mA...
  • MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI origjinale krejt e re

    MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI origjinale krejt e re

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i kullimit në burim (Vdss) 30 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 4,5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ ID, Vgs 2.8m...
  • Çip i ri në magazinë qark i integruar TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic

    Çip i ri në magazinë qark i integruar TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 100 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 8,8A (Ta), 42A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 6V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ ID, Vgs 16mOh...
  • Qark i integruar i ri dhe origjinal BSC100N06LS3G

    Qark i integruar i ri dhe origjinal BSC100N06LS3G

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 60 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 4,5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ ID, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Çipi Ic Komponenti origjinal elektronik

    BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Çipi Ic Komponenti origjinal elektronik

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 100 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 90A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds On) 6V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • AQX BSC060N10NS3G Çipi i integruar i ri dhe origjinal i qarkut ic BSC060N10NS3G Atributet e produktit

    AQX BSC060N10NS3G Çipi i integruar i ri dhe origjinal i qarkut ic BSC060N10NS3G Atributet e produktit

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 100 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 14,9A (Ta), 90A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 6V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ ID, Vgs 6mOh...