porosi_bg

Produktet

  • Komponentët Elektronikë IRF9540NSTRLPBF të reja origjinale IRF9540NSTRLPBF

    Komponentët Elektronikë IRF9540NSTRLPBF të reja origjinale IRF9540NSTRLPBF

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Kaseta e prerë (CT) Statusi i produktit Digi-Reel® Gjendja e produktit Lloji aktiv FET Lloji P-Kanal MX ) Tensioni i kullimit në burim (Vdss) 100 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 23A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 117mOhm @ 14A, 10 V ...
  • Shpërndarësi me shumicë i pjesës origjinale Çip IC i integruar Çip IC IRF8736TRPBF

    Shpërndarësi me shumicë i pjesës origjinale Çip IC i integruar Çip IC IRF8736TRPBF

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-Kanal MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 30 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 18A (Ta) Tensioni i drejtimit (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 4,5V, 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @ 18A, 1...
  • Çip i ri dhe origjinal elektronik IRF7103TRPBF IC

    Çip i ri dhe origjinal elektronik IRF7103TRPBF IC

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Vargje Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Statusi i produktit Digi-Reel® Gjendja e produktit FET Tipi aktiv (D FETnel 2 N-Chan) Funksioni i shkarkimit standard në tensionin e burimit (Vdss) Rryma 30V – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 6,5A Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA Ngarkesa e portës (Qg) (Max...
  • IRF7103TRPBF Çip i ri dhe origjinal me qark të integruar IC IRF7103TRPBF

    IRF7103TRPBF Çip i ri dhe origjinal me qark të integruar IC IRF7103TRPBF

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Vargje Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Statusi i produktit Digi-Reel® Gjendja e produktit FET Tipi aktiv (D FETnel 2 N-Chan) Karakteristika e shkarkimit standard në tensionin e burimit (Vdss) Rryma 50 V – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 3A Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ Karikimi 250µA (Qg) (Max) @...
  • IRF7103TRPBF Çip i ri dhe origjinal me qark të integruar IC IRF7103TRPBF

    IRF7103TRPBF Çip i ri dhe origjinal me qark të integruar IC IRF7103TRPBF

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Vargje Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Statusi i produktit Digi-Reel® Gjendja e produktit FET Tipi aktiv (D FETnel 2 N-Chan) Karakteristika e shkarkimit standard në tensionin e burimit (Vdss) Rryma 50 V – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 3A Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ Karikimi 250µA (Qg) (Max) @...
  • IRF4905STRLPBF Komponentët Elektronikë të Ri dhe Origjinal IC Chip BOM Shërbimi Në magazinë IRF4905STRLPBF

    IRF4905STRLPBF Komponentët Elektronikë të Ri dhe Origjinal IC Chip BOM Shërbimi Në magazinë IRF4905STRLPBF

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Kaseta e prerë (CT) Statusi i produktit Digi-Reel® Gjendja e produktit Lloji aktiv FET Lloji P-Kanal MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 55 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 42A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10 V Vg...
  • Komponentët elektronikë origjinalë krejt të rinj Çipi IC IRF3205STRLPBF qarqe të integruara

    Komponentët elektronikë origjinalë krejt të rinj Çipi IC IRF3205STRLPBF qarqe të integruara

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET® Kasetë e paketimit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-Kanal MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 55 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 110A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds On) 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10 V Vg...
  • IRF100S201 Advantage Furnizim Stoku i ri Origjinal i çipave inteligjente IC BOM Shërbimi për IRF100S201

    IRF100S201 Advantage Furnizim Stoku i ri Origjinal i çipave inteligjente IC BOM Shërbimi për IRF100S201

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria HEXFET®, StrongIRFET™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit MOSFEThanelT aktiv. (Oksid metalik) Kullimi te tensioni i burimit (Vdss) 100 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 192A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 4.2 moh...
  • IPW60R099P7 Origjinali i ri Në magazinë Dorëzimi i shpejtë Komponentët elektronik të çipit IC Shërbimi BOM Për IPW60R099P7

    IPW60R099P7 Origjinali i ri Në magazinë Dorëzimi i shpejtë Komponentët elektronik të çipit IC Shërbimi BOM Për IPW60R099P7

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Qarqet e integruara (IC) IC-të e specializuara Seria Mfr Infineon Technologies - Paketa Statusi i produktit në masë Dokumentet aktive dhe media LLOJI I BURIMEVE Fletët e të dhënave IPW60R099P7 Fletë të dhënash E Mjedisi dhe Eksporti Elektronik Elektronik Elektronik Elektronik Elektronik Elektronik Elektronik Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike Elektronike. .0095 Burime Shtesë PËRSHKRIMI ATRIBUTI Emra të tjerë 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Paketa standarde 1 Një rreth i integruar...
  • IPD135N08N3G qark i ri i integruar

    IPD135N08N3G qark i ri i integruar

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe bobina e paketës (TR) Statusi i produktit i vjetëruar FET Lloji N-kanal Teknologjia MOSFET (Burimi i oksidit metalik) Dragea8 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 45A (Tc) Tensioni i drejtimit (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 6V, 10V Rds Aktiv (Max) @ Id, Vgs 13,5mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) ( Max) @ ID...
  • IPD036N04LG ICS Hot Shitet i ri dhe origjinal me cilësi të lartë

    IPD036N04LG ICS Hot Shitet i ri dhe origjinal me cilësi të lartë

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FET, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ 3 Shirit dhe mbështjellës (TR) Shirit i prerë (CT) Statusi i produktit Digi-Reel® Gjendja e produktit Lloji aktiv FETtal MOSFETnel (N-Channel) Oksid) Drain në tensionin e burimit (Vdss) 40 V Rryma – Kullim i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 90A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V Rds Aktiv (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 90A...
  • TO-252 IPD33CN10NG me tranzistor çip të cilësisë së lartë Çmimi i ri dhe origjinal

    TO-252 IPD33CN10NG me tranzistor çip të cilësisë së lartë Çmimi i ri dhe origjinal

    Atributet e produktit PËRSHKRIMI LLOJI Kategoria Produkte gjysmëpërçuese diskrete Transistorë – FETs, MOSFET – Një Mfr Infineon Technologies Seria OptiMOS™ Shirit dhe mbështjellës i paketimit (TR) Shirit i prerë (CT) Digi-Reel® Statusi i produktit Lloji aktiv FET Lloji N-ETKANAL MX ) Tensioni i shkarkimit në burim (Vdss) 100 V Rryma – Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25°C 27A (Tc) Tensioni i lëvizjes (Max Rds Aktiv, Min Rds Aktiv) 10V Rds Aktiv (Maks) @ Id, Vgs 33mOhm @ 27A, 10 V ...